TRM2504 Транзистор

Транзистор TRM2504.

Поиск по сайту

В справочнике по транзисторам представлена информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах.

Описание транзистора TRM2504.
Справочные данные.

Корпус транзистора TRM2504

Транзистор TRM2504 — низкочастотный ( FГР < 30 МГц), проводимость типа NPN, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-5.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
TRM2504 /250 3000 1000 10 15 1000 10 20 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
High Voltage Semiconductor IngHigh Volt
Hybrid Semiconductors & ElectronicsHybrid Semi
Semiconductor Technology IncSemiconTech


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.













Яндекс.Метрика