NKT301 Транзистор

Транзистор NKT301.

Поиск по сайту

В справочнике по транзисторам представлена информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах.

Описание транзистора NKT301
Справочные данные.

Корпус транзистора NKT301

Транзистор NKT301 — низкочастотный ( FГР < 30 МГц), проводимость типа PNP, биполярный, германиевый (Ge), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт)). Тип корпуса TO-8.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
NKT301 40/60 2000 750 30 2000 0 1 Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.













Яндекс.Метрика