BC860C Транзистор

Транзистор BC860C.

Поиск по сайту

Описание транзистора BC860C

Корпус транзистора BC860C

Транзистор BC860C — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа P-N-P, биполярный, кремниевый (Si), малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса SOT-23. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: BCF70, 2N3073, KT3107A.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
BC860C 45/50 100 300 420 800 2 1 100 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
ITT Corp/ITT Semiconductors/lntermetallITTSemlntrm
National Semiconductor CorpNatl Semi
Phitips International BV/Philips ComponentsPhilipsComp
Siemens AktiengeselischaftSiemens Akt
Zetex SemiconductorsZetex

Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.







Яндекс.Метрика