AF116 Транзистор

Транзистор AF116.

Поиск по сайту

Описание транзистора AF116

Корпус транзистора AF116

Транзистор AF116 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа P-N-P, биполярный, германиевый (Ge), малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-7. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE160, AF124, 2N990, GT322V.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
AF116 20/20 10 50 50 75 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
Space Power Electronics IncSpace Power
Swampscott Electronics Со IncSwampscott


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода E B Case C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.









Яндекс.Метрика