Микросхемы 74413, 74F413.

74413

Описание

Микросхема 74413 содержит запоминающее устройство ЗУ ёмкостью 62 слова по 4 разряда (бита) каждое, которые считываются в той же последовательности, в какой были записаны. Последовательная или параллельная запись и считывание осуществляются через соответствующий регистр.

Работа схемы

Микросхема 74413 состоит из трёх элементов:

   
• входной регистр с параллельными и последовательными входами данных и с соответствующими входами управления;

   
• стековое ЗУ глубиной 62 слова и шириной 4 бита;

   
• выходной регистр с параллельными и последовательными выходами данных и с входами управления.

Ввод данных в микросхему 74413: высокий уровень напряжения на выходе IR (вход готов) показывает, что первая ячейка памяти ЗУ готова к приёму данных. Данные поступают в эту ячейку, когда на вход SI подаётся напряжение высокого уровня (на выходе IR при этом формируется напряжение низкого уровня). Данные находятся в первой ячейке памяти до тех пор, пока на вход Sl не будет подано напряжение низкого уровня. Если ЗУ загружено данными не полностью, то на выходе IR снова появляется напряжение высокого уровня. Аналогичным путём данные сдвигаются и поступают во вторую ячейку памяти. Это происходит до тех пор, пока данные не достигнут выходной ступени или пока накопитель не заполнится целиком. При полной загрузке ЗУ данными на выходе IR устанавливается напряжение низкого уровня.

Передача данных из микросхемы 74413: к следующим свободным ячейкам памяти ЗУ происходит автоматически.

Вывод даных из микросхемы 74413: осуществляется через выходы Q0 - Q3. На выходе OR (выход готов) формируется напряжение высокого уровня. Последовательный вывод данных возможен при подаче на вывод SO напряжения высокого уровня (на выходе OR при этом формируется напряжение низкого уровня). Поступление на вывод SO напряжения низкого уровня сдвигает данные к ступени выхода.

Выходы IR и OR микросхемы 74413 могут использоваться в качестве индикаторов заполняемости ЗУ: если накопитель загружен полностью, то на выходе IR устанавливается напряжение низкого уровня при минимальном времени t_PT если накопитель совершенно пустой, то на выходе OR устанавливается напряжение низкого уровня при минимальном времени t_PT (t_PT — это время, которое требуется первым данным, поступающим с входа в пустой накопитель, для достижения выхода).

Применение

Быстродействующие буферные ЗУ для контроллеров на магнитных дисках или лентах, буферы связи. Производится следующая номенклатура микросхем: 74F413.

Технические данные

Тип микросхемы	74F413
Максимальная частота сдвига, МГц	10
Ток потребления, мА	115