Микросхемы 74410, 74F410.

74410

Описание

Микросхема 74410 содержит быстродействующее запоминающее устройство с произвольной выборкой (ЗУПВ), объёмом памяти 64 бита (16 машинных слов по 4 бита каждое: 16x4), с выходным регистром, запускаемым синхроимпульсами.

Работа схемы

С помощью отдельного 4-разрядного выходного регистра, запускаемого фронтом тактового импульса, новые данные могут записываться в память микросхемы 74410, в то время как предшествующие хранятся в памяти.

Запись данных в память микросхемы 74410: когда на три управляющих входа — WE (разрешение записи), CS (выбор кристалла) и Clock (синхроимпульс) — подаётся напряжение низкою уровня, данные с информационных входов D0 — Р3 поступают в ячейки памяти, которые выбираются через адресные входы A0 — А3.

Если три управляющих входа WE, CS и Clock микросхемы 74410 остаются в состоянии с напряжением низкого уровня, то содержимое ячейки с указанным адресом изменяется при условии, что соблюдаются критерии "устаноаки" и "время удержаниям" данных в ячейке.

Считывание данных микросхемы 74410: если на вход выбора кристалла CS подаётся напряжение низкого уровня и напряжение тактового импульса переходит с низкого уровня на высокий, то содержимое выбранной ячейки памяти поступает по фронту синхроимпульса в выходной регистр.

Вход OE (разрешение формирования выходных сигналов) управляет выходным буфером микросхемы 74410. Подача на вход ОЕ напряжения высокого уровня переводит четыре выхода Q0 — Q3 в высокоомное (третье) состояние. При поступлении на разрешающий вход ОЕ напряжения низкого уровня на выходах Q0 — Q3 устанавливается напряжение такого же уровня, что и на выходном регистре.

Применение

Быстродействующее буферное запоминающее устройство, в частности для стекового ЗУ. Производится следующая номенклатура микросхем: 74F410.

Технические данные

Тип микросхемы	74F410
Стандартное время выборки из ЗУ, нс	35
Ток потребления, мА	70