Микросхема 74233.

74233

Описание

Микросхема 74233 содержит запоминающее устройство ЗУ емкостью 16 слов по 5 разрядов (бит) каждое, которые считываются в той же последовательности, в какой были записаны. Иными словами, это — ЗУ обратного магазинного типа (с организацией «первый пришел — первый вышел»).

Работа схемы

Микросхема 74233 представляет собой регистр сдвига, содержащий блок управления, с помощью которого записанные данные «опускаются» в первые свободные ячейки памяти. Поэтому хранящиеся в ЗУ данные доступны для вывода и тогда, когда не все ступени загружены. Таким образом, речь идет о сдвиговом регистре переменной длины (разрядности), причем длина всегда определяется той информацией, которая в данный момент находится непосредственно в ЗУ.

Запись данных в микросхему 74233 происходит при переходе напряжения на входе LDCK (тактовый импульс записи) с высокого уровня на низкий (отрицательный фронт импульса). Считывание информации происходит при переходе напряжения на входе UNLCK (тактовый импульс считывания) с низкого уровня на высокий (положительный фронт импульса). Накопитель полностью загружен, если количество записанных слов превышает количество считанных на 16. В этом случае состояние входа LDCK больше не влияет на егo работу. То же самое относится и к входу UNLCK, когда накопитель пуст.

О состоянии ЗУ обратного магазинного типа микросхемы 74233 сигнализируют логические уровни выходов: FULL (полный), EMPTY (пустой), FULL-1 и EMPTY+1. На выходе FULL устанавливается напряжение низкого уровня, когда накопитель полностью загружен, и высокого уровня, когда он загружен не полностью. На выходе FULL-1 формируется напряжение низкого уровня, если в накопителе находится 14 слов. На выходе EMPTY возникает напряжение низкого уровня, когда накопитель пуст, и высокого уровня, когда он загружен какой-то информацией. На выходе EMPTY+1 устанавливается напряжение низкого уровня, если в накопителе остается одно слово.

Напряжение низкого уровня на входе микросхемы 74233 RST (сброс) устанавливает внутренний указатель вершины стека в ноль; кроме того, на выходе EMPTY возникает напряжение низкого уровня, а на выходах FULL, FULL-1 и EMPTY+1 — высокого. Напряжение на выходах Q остается при этом неизменным.

При первом перепаде напряжения на входе LDCK микросхемы 74233 с низкого уровня на высокий (после сброса данных сигналом на входе RST или после того, как накопитель стал пустым) на выходе EMPTY устанавливается напряжение высокого уровня и данные появляются на выходах Q в неинвертированном виде, Напряжение низкого уровня на входе ОЕ переводит выходы (Q) в высокоомное (третье) состояние, не оказывая влияния на остальные выходы.

Расширение микросхемы 74233 можно легко осуществить путем увеличения ширины накопителя (число разрядов слова), но не его глубины (число хранящихся в накопителе слов).

Применение

Микросхема 74233 применяется как быстродействующее буферное ЗУ. Производится следующая номенклатура микросхем: 74ALS233.

Технические данные

Тип микросхемы	74ALS233
Тактовая частота, МГц	0-30
Ток потребления, мА	88