Микросхемы 74200, 74S200.
74200
Описание
Микросхема 74200 (74S200) содержит оперативное запоминающее устройство с объемом памяти 256 бит (256 машинных слов по 1 биту каждое: 256х1) и выход с тремя состояниями.
Работа схемы
Необходимая ячейка памяти микросхемы 74200 (74S200) от 0 до 255 выбирается через адресные шины А0 — А7.
Информация, поступающая на вход данных DE, записывается в память в том случае, когда по меньшей мере на один из входов CS1 — CS3 (выбор кристалла) и вход W/R (запись/считывание) поступает напряжение низкого уровня. При этом выход Q находится в высокоомном (третьем) состоянии.
Для считывания информации из микросхемы 74200 (74S200) на один из входов выбора кристалла CS подается напряжение низкого, а на вход W/R — высокого уровня. Тогда информация, хранящаяся в адресуемой ячейке, появляется на выходе Q.
Микросхема 74200 (74S200) заперта, если хотя бы на один из входов CS подается напряжение высокого уровня. При этом вход W/R может иметь напряжение любого уровня. Тогда выход Q снова переходит в высокоомное состояние.
Микросхема 74200 (74S200) по функциональному назначению аналогична микросхеме 74201, однако в отличие от последней имеет другое расположение адресных входов.
Применение
Быстродействующее буферное запоминающее устройство.
Производится следующая номенклатура микросхем: 74200, 74S200.
Тип микросхемы | 74200 |
---|---|
Время выборки из ЗУ, нс | 80 |
Ток потребления, мА | 100 |
Функция | CS | W/R | Выход Q |
---|---|---|---|
Запись данных с обратным кодом | 0 | 0 | Высокоомный |
Считывание | 0 | 1 | Информация, хранящаяся в ОЗУ |
Хранение | 1 | Х | Высокоомный |