Микросхемы 74200, 74S200.

74200

Описание

Микросхема 74200 (74S200) содержит оперативное запоминающее устройство с объемом памяти 256 бит (256 машинных слов по 1 биту каждое: 256х1) и выход с тремя состояниями.

Работа схемы

Необходимая ячейка памяти микросхемы 74200 (74S200) от 0 до 255 выбирается через адресные шины А0 — А7.

Информация, поступающая на вход данных DE, записывается в память в том случае, когда по меньшей мере на один из входов CS1 — CS3 (выбор кристалла) и вход W/R (запись/считывание) поступает напряжение низкого уровня. При этом выход Q находится в высокоомном (третьем) состоянии.

Для считывания информации из микросхемы 74200 (74S200) на один из входов выбора кристалла CS подается напряжение низкого, а на вход W/R — высокого уровня. Тогда информация, хранящаяся в адресуемой ячейке, появляется на выходе Q.

Микросхема 74200 (74S200) заперта, если хотя бы на один из входов CS подается напряжение высокого уровня. При этом вход W/R может иметь напряжение любого уровня. Тогда выход Q снова переходит в высокоомное состояние.

Микросхема 74200 (74S200) по функциональному назначению аналогична микросхеме 74201, однако в отличие от последней имеет другое расположение адресных входов.

Применение

Быстродействующее буферное запоминающее устройство.

Производится следующая номенклатура микросхем: 74200, 74S200.

Технические данные

Тип микросхемы	74200
Время выборки из ЗУ, нс	80
Ток потребления, мА	100

Состояние микросхемы 74200

Функция	CS	W/R	Выход Q
Запись данных с обратным кодом	0	0	Высокоомный
Считывание	0	1	Информация, хранящаяся в ОЗУ
Хранение	1	Х	Высокоомный