Микросхемы: 74170, 74LS170.
74170
Описание
Микросхема 74170 содержит оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой объёмом 16 бит (4 слова по 4 бита каждое: 4x4), которое позволяет одновременно записывать и считывать информацию.
Работа схемы
Записываемое в микросхему 74170 4-разрядное слово подается на информационные входы D1 — D4. Предусмотренная для этого слова ячейка памяти определяется с помощью входов адреса записи WA и WB. Для записи слова в микросхему 74170 необходимо подать на вход разрешения записи WE напряжение низкого уровня. Если на вход WE подается напряжение высокого уровня, то информационные входы заперты и изменение состояния этих входов больше не оказывает никакого влияния на хранящуюся в памяти информацию. Поэтому внешний дешифратор адреса здесь излишен.
Для считывания из микросхемы 74170 4-разрядного слова адрес ячейки памяти подается на входы RA и RB, на вход разрешения чтения RE подается напряжение низкого уровня. Содержимое выбранной ячейки памяти микросхемы 74170 в неинвертированном виде появляется на выходах Q1 — Q4.
Запоминающее устройство разрешает одновременно считывать и записывать информацию. При считывании хранящаяся в памяти информация не стирается.
Выходы имеют открытый коллектор.
Применение
Быстродействующее буферное запоминающее устройство.
Производится следующая номенклатура микросхем: 74170, 74LS170.
Тип микросхемы | 74170 | 74LS170 |
---|---|---|
Максимальное выходное напряжение, В | 5,5 | 5,5 |
Стандартное время выборки из ЗУ, нс | 20 | 20 |
Ток потребления, мА | 127 | 25 |
Управление записью | Записываемое слово | ||
---|---|---|---|
WE | WB | WA | |
0 | 0 | 0 | Слово1 |
0 | 0 | 1 | Слово2 |
0 | 1 | 0 | Слово3 |
0 | 1 | 1 | Слово4 |
1 | X | X | Нет (запись) |
Управление чтением | Считываемое слово | ||
---|---|---|---|
RE | RB | RA | |
0 | 0 | 0 | Слово1 |
0 | 0 | 1 | Слово2 |
0 | 1 | 0 | Слово3 |
0 | 1 | 1 | Слово4 |
1 | X | X | Нет (выходы Z) |