2SD1760F5 Транзистор

Транзистор 2SD1760F5.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2SD1760F5

Корпус транзистора 2SD1760F5

Транзистор 2SD1760F5 — — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) типа N-P-N, кремниевый, биполярный, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-252.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2SD1760F5 50/60 3000 1000 82 390 500 3 90
Rohm Со LtdRohm Со Ltd


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода B C E


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.









Яндекс.Метрика