Транзистор 2N6517, технические данные, datasheet

Транзистор 2N6517.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N6517

Корпус транзистора  2N6517

Транзистор 2N6517 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналог данного транзистора это транзистор S920TS.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N6517 350/350 500 625 30 30 10 40 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
Motorola Semiconductor Products IncMotorola
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
Samsung Electronics IncSamsung
Zetex SemiconductorsZetex
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода C B E


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.













Яндекс.Метрика