Транзистор 2N5550, технические данные, datasheet

Транзистор 2N5550.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N5550

Корпус транзистора  2N5550

Транзистор 2N5550 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE194, SK3275, BC394, PMBT5550, TMPT5550, A5T5550*,BCX29*, BF412*, MPSD02*, 2N3858A*, 2N3859A*, 2N3877*, 2N3877A*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N5550 140/160 600 350 100 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Allegro Microsystems IncAlegroMicro
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SAIndust Mexi
KSL Microdevices IngKSL Micro
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
Mistral SPAMistral SpA
Motorola Semiconductor Products IncMotorola
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
National Semiconductor CorpNatl Semi
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Phitips International BV/Philips ComponentsPhilipsComp
Samsung Electronics IncSamsung
Semelab PlcSemelab
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Toshiba America Electronic Components IncToshibaAmer
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Яндекс.Метрика