Транзистор 2N5550.

Описание транзистора 2N5550

Транзистор 2N5550 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE194, SK3275, BC394, PMBT5550, TMPT5550, A5T5550*,BCX29*, BF412*, MPSD02*, 2N3858A*, 2N3859A*, 2N3877*, 2N3877A*.

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.