Транзистор 2N5451, технические данные, datasheet

Транзистор 2N5451.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N5451

Корпус транзистора  2N5451

Транзистор 2N5451 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123A, SK3024, TP5451.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N5451 20/40 800 620 30 50 2 100 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
KSL Microdevices IngKSL Micro
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
Mistral SPAMistral SpA
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Яндекс.Метрика