Транзистор 2N520A, технические данные, datasheet

Транзистор 2N520A.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N520A

Корпус транзистора  2N520A

Транзистор 2N520A — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE100, SK3721.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N520A 15/25 150 40 170 20 0,25 3 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Digitron Electronic CorpDigitron
Germanium Power Devices CorpGermanium Corp
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
High Voltage Semiconductor IngHigh Volt
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика