Транзистор 2N4401, технические данные, datasheet

Транзистор 2N4401.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N4401

Корпус транзистора  2N4401

Транзистор 2N4401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123AP, SK3854, BC337, BSS79C, PN100, EN2219*, A5T2222*, 2N3300*, 2N3302*, 2N3974*, 2N3976*, 2N4141*, 2N4970*, 2N5369*, 2N6000*, 2N6002*, 2N6004*, 2N6006*, 2N6010*, 2N6012*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N4401 40/60 600 350 100 150 10 250 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Allegro Microsystems IncAlegroMicro
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Diodes IncDiodes Inc
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
KSL Microdevices IngKSL Micro
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
Microsemi CorpMicrosemi
Mistral SPAMistral SpA
Motorola Semiconductor Products IncMotorola
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
National Semiconductor CorpNatl Semi
Phitips International BV/Philips ComponentsPhilipsComp
Rohm Со LtdRohm Со Ltd
Samsung Electronics IncSamsung
Semelab PlcSemelab
Semiconductors IncSemi Inc
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State SystemsSld St Syst
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Toshiba America Electronic Components IncToshibaAmer
Transistor СоTransistor
United-Page Inc, UPI Semiconductor DivisionUPI Semi
Zetex SemiconductorsZetex
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика