Транзистор 2N3588, технические данные, datasheet

Транзистор 2N3588.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3588

Корпус транзистора  2N3588

Транзистор 2N3588 — биполярный, германиевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-72. Аналог данного транзистора NTE160.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N3588 /25 10 100 20 1 6 200 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода B E C Case


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Яндекс.Метрика