Транзистор 2N3586, технические данные, datasheet

Транзистор 2N3586.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3586

Корпус транзистора  2N3586

Транзистор 2N3586 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-77.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N3586 /45 100 250 0,1
American Microsemiconductor IncAmerMicroSC


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4 5 6 7 8
8 выводов E1 B1 C1 No Pin E2 B2 C2 No Pin


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Яндекс.Метрика