Транзистор 2N3417, технические данные, datasheet

Транзистор 2N3417.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3417

Корпус транзистора  2N3417

Транзистор 2N3417 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-98. Аналоги данного транзистора: NTE185, SK3866A.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N3417 50/50 500 360 180 2 4,5 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Allegro Microsystems IncAlegroMicro
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
Mistral SPAMistral SpA
National Semiconductor CorpNatl Semi
Semiconductors IncSemi Inc
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.














Яндекс.Метрика