Транзистор 2N241A, технические данные, datasheet

Транзистор 2N241A.

Поиск по сайту

2N241A

Корпус транзистора 2N241A

Транзистор 2N241A — это германиевый биполярный P-N-P типа низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Аналогом данного транзистора является транзистор NTE102. Тип корпуса R32.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N241A 25/25 200 180 73 150 1 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Digitron Electronic CorpDigitron
Elm State Electronics lncElm State
Germanium Power Devices CorpGermanium Corp
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Space Power Electronics IncSpace Power


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика