Транзистор 2N2412, технические данные, datasheet

Транзистор 2N2412.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N2412

Корпус транзистора  2N2412

Транзистор 2N2412 — биполярный, кремниевый, высокочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Аналоги данного транзистора: SK3466, NTE159. Тип корпуса TO-18.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N2412 20/25 100 300 40 120 10 0,5 140 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Semelab PlcSemelab
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика