Транзистор 2N189, технические данные, datasheet

Транзистор 2N189.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N189

Корпус транзистора 2N189

Транзистор 2N189 — германиевый, биполярный, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE102, 2N1191, SK3007A. Тип корпуса R32.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N189 25/ 50 75 24 1 5 0,8 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Germanium Power Devices CorpGermanium Corp
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State IncSolid Stinc
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика