Транзистор 2N1613A — кремниевый, биполярный, низкочастотный (FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-39. Аналогом данного транзистора является транзистор NTE128.
Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | IК мА |
UКЭ В |
fгр МГц |
Изготовитель | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
мин. | макс. | Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||||
2N1613A | 7/75 | 1000 | 40 | 120 | 150 | 10 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | ||
Advanced Semiconductor tnc | Advncd Semi | |||||||||
Central Semiconductor Corp | CentralSemi | |||||||||
Digitron Electronic Corp | Digitron | |||||||||
Hi-Tron Semiconductor | Hi-Tron | |||||||||
Micro Electronics Ltd | Micro Еlecs | |||||||||
РРС Products Corp | PPC Product | |||||||||
Semiconductors Inc | Semi Inc | |||||||||
Semiconductor Technology Inc | SemiconTech | |||||||||
Intex Со Inc/Semitronics Corp | Semitronics | |||||||||
Syntar Industries Inc | Syntar Ind | |||||||||
Transistor Со | Transistor | |||||||||
Space Power Electronics Inc | Space Power |
Тип | Номера выводов | ||
---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | |
3 вывода | E | B | C |
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.