Транзистор 2N1613, технические данные, datasheet

Транзистор 2N1613.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N1613

Корпус транзистора 2N1613

Транзистор 2N1613 — кремниевый, биполярный, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-39. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE128, SK3024, BCW44*, BFR19*, DFX69*, BFX69A*, BFY34*, BFY53*, BFY55*, BFY67*, BFY67A*, BSX95*, BSY10*, BSY44*, BSY46*, BSY53*, 2N1340*, 2N1565*, 2N1572*, 2N1573*, 2N1985*, 2N1987*, 2N2193*, 2N2193A*, 2N2297*, 2N2317*, 2N2389*, 2N2433*, 2N3567*, 2N696*, 2N719*, 2SC482*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N1613 50/75 1000 800 40 150 10 60 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Digitron Electronic CorpDigitron
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
Microsemi CorpMicrosemi
Mistral SPAMistral SpA
Motorola Semiconductor Products IncMotorola
New England SemiconductorNew Eng SC
Phitips International BV/Philips ComponentsPhilipsComp
Q Source IncQSource Inc
Semelab PlcSemelab
Semiconductors IncSemi Inc
Advani Oerlikon Ltd/Semiconductors LtdSemi Ltd
SemicoaSemicoa
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Syntar Industries IncSyntar Ind
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.







Яндекс.Метрика