Транзистор 2N1110, технические данные, datasheet

Транзистор 2N1110.

Поиск по сайту

2N1110

Корпус транзистора 2N1110

Транзистор 2N1110 — это германиевый биполярный P-N-P типа высокочастотный (30 МГц ≤ FГР < 300 МГц) транзистор малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса ТО-22var. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE126, SK3008.

Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N1110 /16 5 30 35 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Яндекс.Метрика