2N916B Транзистор

Транзистор 2N916B.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N916B

Корпус транзистора  2N916B

Транзистор 2N916B — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа n-p-n, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-18. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123AP, 2N3946.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N916B 30/60 360 50 200 10 1 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Syntar Industries IncSyntar Ind
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика