Транзистор 2N635, технические данные, datasheet

Транзистор 2N635.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N635

Корпус транзистора  2N635

Транзистор 2N635 — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE101, SK3861. Тип корпуса TO-9.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N635 15/20 300 150 25 200 0,75 10 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Hybrid Semiconductors & ElectronicsHybrid Semi
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика