Транзистор 2N6303, технические данные, datasheet

Транзистор 2N6303.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N6303

Корпус транзистора  2N6303

Транзистор 2N6303 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE129, SDT3503*, SDT3507*, SDT3777*, 2N3204*, 2N5333*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N6303 80/80 3000 1000 30 150 1500 2 60 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
РРС Products CorpPPC Product
Microsemi Corp/Power Technology Components DivisionPower Tech
Semelab PlcSemelab
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Silicon Transistor CorpSiliconTran
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика