Транзистор 2N502, технические данные, datasheet

Транзистор 2N502.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N502

Корпус транзистора  2N502

Транзистор 2N502 — биполярный, высокочастотный (30 МГц > FГР < 30 МГц), германиевый транзистор P-N-P типа, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-9. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE126, SK3008.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращёное)
2N502 20/20 25 30 50 0,5 220 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Digitron Electronic CorpDigitron
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
Solid State IncSolid Stinc
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика