Транзистор 2N4123, технические данные, datasheet

Транзистор 2N4123.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N4123

Корпус транзистора  2N4123

Транзистор 2N4123 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора: NTE123AP, SK3854, BSS81B, PN100, A5T4123*, EN916*, MPS2713.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N4123 30/40 200 350 50 2 10 250 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Allegro Microsystems IncAlegroMicro
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Digitron Electronic CorpDigitron
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SAIndust Mexi
KSL Microdevices IngKSL Micro
Loras Industries IncLoras Ind
Mistral SPAMistral SpA
Motorola Semiconductor Products IncMotorola
National Semiconductor CorpNatl Semi
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Samsung Electronics IncSamsung
Semiconductors IncSemi Inc
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State SystemsSld St Syst
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Toshiba America Electronic Components IncToshibaAmer
Zetex SemiconductorsZetex
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода C B E


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика