Транзистор 2N4026, технические данные, datasheet

Транзистор 2N4026.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N4026

Корпус транзистора  2N4026

Транзистор 2N4026 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-18. Аналоги данного транзистора: NTE129, SK3025.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N4026 60/60 1000 500 30 0,1 5 100 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
NAS Etektronische Halbleiter GmbhNAS Elekt
New England SemiconductorNew Eng SC
Semelab PlcSemelab
SemicoaSemicoa
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Syntar Industries IncSyntar Ind
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика