Транзистор 2N3567, технические данные, datasheet

Транзистор 2N3567.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3567

Корпус транзистора  2N3567

Транзистор 2N3567 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-106. Аналоги данного транзистора: NTE123, SK3275, TP3567, 2N1613, PMBTA06.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращёное)
2N3567 40/80 500 300 40 150 1 60 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Comset Semiconductors, SPRLComset Semi
Continental Device India LtdContin Dev
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Semiconductors IncSemi Inc
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Solid State SystemsSld St Syst
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Syntar Industries IncSyntar Ind
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика