Транзистор 2N3397, технические данные, datasheet

Транзистор 2N3397.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3397

Корпус транзистора  2N3397

Транзистор 2N3397 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-98. Аналоги данного транзистора: NTE85, SK3122, BC548A.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
2N3397 25/25 100 200 55 2 4,5 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Continental Device India LtdContin Dev
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Micro Electronics LtdMicro Еlecs
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Semiconductors IncSemi Inc
Solid State SystemsSld St Syst
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E C B


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика