Транзистор 2N2987, технические данные, datasheet

Транзистор 2N2987.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N2987

Корпус транзистора  2N2987

Транзистор 2N2987 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Аналоги данного транзистора: NTE198, 2N2196*, 2N2197*, 2N2405*, 2N2472*. Тип корпуса TO-5.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
2N2987 80/95 1000 1000 25 75 200 5 30 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
API Electronics IncAPIElectron
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Central Semiconductor CorpCentralSemi
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
РРС Products CorpPPC Product
SemicoaSemicoa
Semiconductor Technology IncSemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Silicon Transistor CorpSiliconTran
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Solitron Devices IncSolitron
Square D Со/General Semiconductor Industries IncSqDGnrlSemi
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика