Транзистор 2N2360, технические данные, datasheet

Транзистор 2N2360.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N2360

Корпус транзистора  2N2360

Транзистор 2N2360 — биполярный, германиевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт ). Аналоги данного транзистора: NTE103, SK3862. Тип корпуса TO-12.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
2N2360 20/20 50 60 10 2 10 200 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Q Source IncQSource Inc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода E B C C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика