Транзистор 2N1395, технические данные, datasheet

Транзистор 2N1395.

Поиск по сайту

2N1395

Корпус транзистора 2N1395

Транзистор 2N1395 — это германиевый биполярный P-N-P типа высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-33. Аналогом данного транзистора является транзистор NTE100.




Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
2N1395 40/40 10 120 30 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Digitron Electronic CorpDigitron
Elm State Electronics lncElm State
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
New Jersey Semi-Conductor Products IncNew Jersey
Solid State IncSolid Stinc
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода E B C C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика