Транзистор 2N1379, технические данные, datasheet

Транзистор 2N1379.

Поиск по сайту

2N1379

Корпус транзистора 2N1379

Транзистор 2N1379 — это германиевый биполярный P-N-P типа низкочастотный (FГР < 30 МГц) транзистор малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE102.




Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
2N1379 25/25 200 250 85 330 50 1 American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Crimson Semiconductor IncCrimsonSimi
Digitron Electronic CorpDigitron
Germanium Power Devices CorpGermanium Corp
Hi-Tron SemiconductorHi-Tron
Intex Со Inc/Semitronics CorpSemitronics
Solid State SystemsSld St Syst
Solid State Industries IncSldSt Indus
Solid State IncSolid Stinc
Swampscott Electronics Со IncSwampscott
Syntar Industries IncSyntar Ind
Transistor СоTransistor
Space Power Electronics IncSpace Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика