Транзистор 1N2481, технические данные, datasheet

Транзистор 1N2481.

Поиск по сайту

1N2481

Корпус транзистора 1N2481

Транзистор 1N2481 — это низкочастотный (30 МГц ≤ FГР < 30 МГц) кремниевый транзистор N-P-N типа средней мощности (300 мВт ≤ PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса ТО-18.

Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
1N2481 15/40 50 1200 40 120 10 1 Raytheon Co/Semiconductor DivisionRaytheon SC


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика