Транзистор 0802, технические данные, datasheet

Транзистор 0802.

Поиск по сайту

0802

Корпус транзистора 0802

Транзистор 0802 — это высокочастотный (30 МГц ≤ FГР < 300 МГц) кремниевый транзистор P-N-P типа средней мощности (300 мВт ≤ PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса ТО-105.

Технические данные


Транзистор UКЭ0 /UКБ0 ПРОБ, В IК, МАКС, мА PК, МАКС мВт h21Э IК, мА UКЭ, В fгр, МГц Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращёное)
802 80/100 500 400 40 100 1 120 Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Space Power Electronics IncSpace Power

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.











Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика