Транзистор 0801, технические данные, datasheet

Транзистор 0801.

Поиск по сайту

0801

Корпус транзистора 0801

Транзистор 0801 — это высокочастотный (30 МГц ≤ FГР < 300 МГц) кремниевый транзистор P-N-P типа средней мощности (300 мВт ≤ PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса ТО-105.

Технические данные


Транзистор UКЭ0 /UКБ0 ПРОБ, В IК, МАКС, мА PК, МАКС мВт h21Э IК, мА UКЭ, В fгр, МГц Изготовитель
мин. макс.
801 45/50 500 400 100 100 1 80 Advanced Semiconductor tncAdvncd Semi
American Microsemiconductor IncAmerMicroSC
Space Power Electronics IncSpace Power

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.









Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика